湿法刻蚀常用的溶液

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工艺技术

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发布时间：

2025-08-01

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湿法刻蚀常用的溶液包括磷酸、氢氟酸、缓冲氧化物刻蚀剂（BOE）、铝刻蚀剂（M2）和硝酸等。

磷酸刻蚀液：由纯磷酸和去离子水组成，工作温度为160摄氏度，用于刻蚀氮化硅膜及其下面的氧化膜。

氢氟酸刻蚀液：主要用于刻蚀氧化膜，根据浓度不同分为CHF、LHF、DHF等。CHF是49%的氢氟酸刻蚀液，主要用来刻蚀Poly以及氮化物；LHF是CHF用水稀释后的产物，其中氢氟和水的比例为50:1，刻蚀速度稳定；DHF是LHF进一步稀释后的产物，由于其浓度较低，所以其刻蚀速率很低，主要用来刻蚀晶圆表面的自然氧化膜。

缓冲氧化物刻蚀剂（BOE）：又叫作BOE(全称Buffered Oxide Etch)，是NH4F和HF以及表面活化剂的混合物，主要用来刻蚀晶圆上深槽里的氧化膜。

铝刻蚀剂（M2）：是磷酸、硝酸和醋酸的混合物，它们的比例为70:2:12，反应温度为75摄氏度，主要用在钴制程选择性的刻蚀过程中。

硝酸：硝酸是一种强氧化剂，可以与金属发生化学反应，从而去除金属层。在半导体制造中，硝酸常用于去除金属层，如铜、铝等。

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