预清洗（Pre-Clean）

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工艺技术

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发布时间：

2025-09-01

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预清洗（Pre-Clean）是半导体制造过程中的一个关键步骤，旨在去除硅片表面的杂质和污染物，以确保后续工艺的准确性和稳定性。预清洗通常在加工开始之前进行，使用去离子水（DI Water）冲洗和超声波清洗等方法来去除表面的松散污染物和大颗粒。

比如在薄膜沉积前需要进行清洗步骤，或者部分离子植入前需要进行清洗。通常会使用氢氟酸，RCA清洗等。

一、预清洗工艺技术参数

1.炉管前清洗工艺

•应用：用于炉管前清洗工艺

•工艺描述：保证晶圆在进入炉管前的表面洁净度

•化学组合：DHF + SPM + SC1 + SC2 + IPA dry

2.RCA清洗工艺

•应用：用于RCA标准清洗工艺

•工艺描述：采用标准RCA清洗流程去除表面污染物

•化学组合：DHF + SPM + SC1 + SC2 + IPA dry

3.湿法去胶工艺

•应用：用于干法刻蚀工艺后光刻胶去除

•工艺描述：去除干法刻蚀后残留的光刻胶

•化学组合：DHF + SPM + SC1 + IPA dry

4.氧化物湿法刻蚀工艺

•应用：用于氧化物湿法刻蚀或去除

•工艺描述：选择性去除氧化层

•化学组合：HF or BOE + SC1 + IPA dry

5.氮化硅膜层去除工艺

•应用：用于氮化硅层浸湿法去除

•工艺描述：去除氮化硅层并控制SiN/oxide选择比

•化学组合：DHF + H₃PO₄ + SC1 + IPA dry

6.前段poly/oxide去除工艺

•应用：用于控片回收处理

•工艺描述：捆离去除不同的金属

•化学组合：HF/HNO₃ + HF + SC1 + SC2 + IPA dry

7.后段金属/非金属膜层去除工艺

•应用：用于后段金属或非金属膜层去除

•工艺描述：去除后段工艺中的金属或非金属膜层

•化学组合：SPM + HF + SC1 + IPA dry

二、化学试剂说明

•DHF：稀释氢氟酸(Diluted Hydrofluoric Acid)

•SPM：硫酸-过氧化氢混合物(Sulfuric acid-Peroxide Mixture)

•SC1：标准清洗液1(Standard Clean 1, NH₄OH:H₂O₂:H₂O)

•SC2：标准清洗液2(Standard Clean 2, HCl:H₂O₂:H₂O)

•IPA dry：异丙醇干燥(Isopropyl Alcohol drying)

•BOE：缓冲氧化物刻蚀液(Buffered Oxide Etchant)

•H₃PO₄：磷酸(Phosphoric Acid)

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