湿法清洗设备药液
分类：
工艺技术
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发布时间：
2025-12-12
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在半导体制造过程中，晶圆表面的洁净度直接影响器件性能与良率。湿法清洗作为关键的表面处理工艺，其核心在于化学药液的选择与配比。
一、SC-1
- 配方：NH₄OH / H₂O₂ / H₂O = 1 : 1 : 5
- 性质：碱性清洗液
- 主要作用：去除颗粒、金属和有机物
- 清洗机理：
1.双氧水氧化颗粒，部分分解；
2.氢氧化铵轻微腐蚀氧化层，使颗粒脱离，并在表面与颗粒上积累负电荷，产生静电排斥；
3.排斥力使颗粒脱离表面，并防止其重新附着。
二、SC-2
- 配方：HCl / H₂O₂ / H₂O = 1 : 1 : 6
- 性质：酸性清洗液
- 主要作用：去除金属离子
- 清洗机理：
1.双氧水氧化金属；
2.盐酸与金属离子形成可溶性氯化物而溶解。
三、SPM（硫酸-双氧水混合液，也称Piranha）
- 配方：H₂SO₄ / H₂O₂ = 5 : 1 至 2 : 1
- 使用条件：加热至约120℃
- 主要作用：去除金属及有机物，尤其适用于预处理疏水性表面
- 清洗机理：
1.硫酸使有机物脱水碳化；
2.双氧水将碳化物氧化为CO或CO₂气体。
四、稀释氢氟酸（DHF）
- 配方：H₂O : HF = 100 : 1 至 20 : 1
- 主要作用：去除晶片表面氧化膜，并溶解附着其上的微粒与部分金属离子
- 工艺位置：可根据工艺安排在SPM后、SC1后、SC2后，甚至多次使用；多数公司置于SPM之后。
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SC-1,SC-2,SPM,DHF
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