日本NCT交付6英寸氧化镓晶圆
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公司新闻
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发布时间：
2026-03-12
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日前，日本氧化镓龙头企业NCT宣布启动150毫米（6英寸）β-Ga₂O₃晶圆样品交付，标志着氧化镓突破大尺寸规模化瓶颈，向产业化迈出关键一步。此前β-Ga₂O₃晶圆主流为4英寸规格，无法适配现有功率器件产线，此次6英寸产品基于4英寸技术升级，采用EFG导模法实现稳定放大，破解了行业尺寸瓶颈。
NCT近年聚焦氧化镓材料与器件协同布局，2025年技术突破密集：4月首发全氧化镓基平面肖特基二极管研究级样品；8月与美国Kyma Technologies合作开发高品质外延片，瞄准多kV级高压器件应用；11月推出高品质（011）取向外延片，性能达业界领先；12月研发出DG新型晶体生长技术，无需昂贵铱坩埚，可将衬底成本降至传统方法的十分之一。
基于技术积累，NCT明确产业化路线：2027年交付6英寸外延片样品，2029年实现6英寸晶圆量产并导入DG法降本，2035年开发8英寸晶圆对接主流产线。与此同时，全球氧化镓布局升温，日、美、中、欧等多国企业及科研机构加大投入，形成差异化竞争格局。
日本企业各有侧重，美国以学术孵化为核心推进工程化，欧洲聚焦外延技术，中国企业表现亮眼，在大尺寸氧化镓领域持续突破。作为超宽禁带半导体核心材料，氧化镓禁带宽度达4.9eV，远高于SiC和GaN，具备高耐压、低损耗优势，契合新能源产业需求。
目前氧化镓正打破传统半导体垄断，有望引领高压电力电子领域能效革命，但仍面临散热不足等挑战。中国在大尺寸领域已取得重大突破，逐步打破日本主导格局，为全球产业化注入新动力。
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