SiC技术重磅突破！瀚天天成全球首发12英寸碳化硅外延晶片
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行业动态
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发布时间：
2025-12-24
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SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的 200mm（8 英寸）产品，300mm（12 英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升 —— 较 6 英寸晶片提升至 4.4 倍，较 8 英寸晶片提升至 2.3 倍。这一突破不仅能显著提高下游功率器件的生产效率，更将大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本，助力瀚天天成构建技术领先的核心竞争优势，为碳化硅产业规模化、低成本应用奠定关键基础。
第三代半导体碳化硅比第一代硅半导体拥有更优的高频、高压、高温能力，能够实现系统更低的能耗、更小的体积和重量。2025年全球拥有约200条12英寸硅晶圆生产线，预测全球销售超过1亿片12英寸硅晶圆，其中包括众多的硅功率及模拟芯片生产线。激烈的碳化硅半导体产业竞争预期也将进入12英寸时代，技术领先的企业将形成强大的竞争优势。
瀚天天成是中国首家实现商业化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供应的生产商。2023年5月成为大中华区首家突破8英寸碳化硅外延晶片技术的生产商，2024年成为全球唯一实现8英寸碳化硅外延晶片批量销售的企业。2025年10月入选国家级制造业(碳化硅外延晶片)单项冠军公示名单。是国家级专精特新重点小巨人企业（第一年第一批）。公司主导编写了全球首个及目前唯一的碳化硅外延国际SEMI标准《4H-SiC同质外延片标准》（SEMI M092-0423 Specification for 4H-SiC Homo-epitaxial Wafer）。公司产品用于制备碳化硅功率器件，被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、AI电源、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。
据了解，瀚天天成依托研发团队的自主技术攻坚，在厦门翔安区碳化硅半导体产业园成功开发出全球首款 12 英寸高质量碳化硅外延晶片。
产品在关键性能指标上表现优异：外延层厚度不均匀性控制在 3% 以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm 芯片良率大于 96%，可充分满足下游功率器件领域的高可靠性应用需求。
该产品的核心供应链实现国产化协同：外延设备采用晶盛机电旗下求是半导体的国产设备，衬底则由晶盛机电另一子公司浙江晶瑞（SuperSiC）提供。
目前，瀚天天成已启动 12 英寸碳化硅外延晶片的批量供应筹备工作。
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