SPM清洗工艺
分类：
工艺技术
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发布时间：
2025-04-30
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什么是SPM清洗工艺
SPM（硫酸/过氧化氢混合液）清洗工艺是半导体制造中常用的湿式化学清洗方法，主要用于去除硅片表面的有机污染物（如光刻胶、油脂）和无机污染物（如金属离子）。其核心是通过硫酸的强氧化性与过氧化氢的协同作用实现高效清洗。
一、清洗原理
化学反应：SPM（硫酸/双氧水混合液）清洗工艺利用硫酸的强氧化性和双氧水的还原性，通过化学反应去除硅片表面的污染物。硫酸能够分解有机物质，而双氧水则有助于去除无机物质。
表面活性作用：SPM溶液中的表面活性剂能够降低液体与固体之间的表面张力，使清洗液能够更好地浸润硅片表面，从而提高清洗效果。
二、温度条件
SPM清洗通常在较高的温度下进行，一般在120~150℃之间。高温可以加速化学反应速率，提高清洗效率，并且有助于去除难以去除的沾污物。
三、清洗步骤
预处理：将硅片浸入光学纯去离子水中，去除大颗粒杂质和松散附着物。
SPM清洗：将硅片转移至SPM溶液槽中，控制温度（按需选择80~90℃或120~150℃）和时间（5~15分钟）。溶液充分浸润硅片表面，通过化学反应分解污染物。
中间漂洗：使用光学纯去离子水冲洗，去除残留的SPM溶液及反应产物。
后处理：进一步浸入去离子水或专用清洗液（如SC1、SC2）中，确保无残留。
干燥：采用旋转甩干、氮气吹干或红外烘干等方式去除表面水分。
四、注意事项
安全操作：SPM溶液具有强腐蚀性和强氧化性，因此在操作过程中需要采取必要的安全措施，如佩戴防护手套、护目镜等。
设备维护：定期对清洗设备进行维护和保养，确保设备的正常运行和清洗效果的稳定性。
质量控制：在清洗过程中需要严格控制清洗参数（如时间、温度、溶液浓度等），以确保清洗后的硅片具有良好的质量和性能
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