技术突破！山东力冠联手两大企业推动SiC领域迈向新里程碑
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行业动态
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发布时间：
2025-05-15
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近期，我国三家企业在12英寸SiC技术领域取得了显著进展，三家企业齐发力，为我国半导体产业的自主可控发展注入强大动力。
一、浙江晶瑞SuperSiC：12英寸导电型SiC晶体研发成功
核心突破：
成功生长首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶，直径达309mm，质量完好。
基于自主研发的SiC单晶生长炉及长晶工艺，攻克温场不均、晶体开裂等难题。
技术亮点
1.工艺创新：
优化温场设计与气相原料分布工艺，实现6-12英寸全尺寸长晶技术自主可控。
工艺迭代覆盖8-12英寸，提升晶体良率与一致性。
2.产业影响：
降低芯片制造成本，加速SiC产业链国产化。
推动电动汽车、新能源、5G等领域规模化应用。
三、山东力冠微电子装备：12英寸SiC长晶设备商业化提速
核心突破：
完成12英寸PVT电阻加热长晶炉研发，首批交付两台设备。
加速开发12英寸液相法长晶设备，计划2025年批量供货。
技术亮点
1.设备优势：
自主知识产权热场设计，温度均匀性提升超30%。
自动化控制系统降低人工干预，成本竞争力显著。
2.市场布局：
8英寸PVT长晶炉已获国内外头部客户采用。
目标推动国产SiC材料进入全球供应链第一梯队。
总结
中国三家企业在12英寸SiC领域的突破，标志着国产半导体技术从“追赶”迈向“引领”。材料端（晶瑞、南砂）与设备端（力冠）的协同创新，不仅推动SiC芯片成本下降，更助力新能源汽车、光伏、轨道交通等战略性产业升级。2025年或成国产SiC规模化应用的元年。
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