自然氧化层刻蚀-HF Etch
分类：
工艺技术
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发布时间：
2024-07-31
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DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。
DHF 成分组成：H2O：HF=100：1
在DHF湿法刻蚀后，硅晶圆片表面形成硅氢键，而呈现疏水性表面。 因此HF槽后用去离子水溢流（OFR）的方式冲洗表面残留的HF酸
化学反应原理： SiO2 + 6HF H2SiF6 + 2H2O
DHF对硅晶圆片表面的硅几乎不腐蚀，HF对不同材料的刻蚀情况如下： PSG >> SiO2>> Si3N4 >>Si
HF,氢氟酸,酸刻蚀,Etching
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