氮化硅的H3PO4刻蚀研究
分类：
工艺技术
作者：
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发布时间：
2024-07-31
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氮化硅刻蚀(H3PO4 Etch)
目的：用于去除作为硬掩膜的Si3N4层，为下一步工序做准备。
刻蚀液：浓度87%左右的H3PO4溶液，在160℃的H3PO4对Si3N4的刻蚀速率最高。
H3PO4容易挥发，随着化学反应时间的延长刻蚀速率逐渐降低。
为了更好的控制这步反应过程，一般使用2个H3PO4溶液槽来做刻蚀Si3N4的工艺。第1槽主要去处大部分的Si3N4层，第2槽用来做过刻蚀。
H3PO4 Etch,氮化硅刻蚀
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